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Electrónica física y modelos de circuitos de los transistores Tomo II

El grupo conocido por Semiconductor Electronics Education Committee (SEEC) se formó en USA a finales de 1960 con el fin de preparar un nuevo material educativo que reflejase el desarrollo de los circuitos electrónicos en miniatura, de los transistores y de otros dispositivos semiconductores.
Compuesto por universitarios e industriales unidos por facultativos del Electrical Engineering Department del Massachusetts Institute of Technology, el Comité emprendió la producción de un curso de Electrónica de semiconductores con varias metas, destinado principalmente a ser utilizado en las Universidades y en los centros de formación profesional.

Este texto ha sido escrito bajo la premisa de que los diseñadores y los utilizadores de dispositivos semiconductores a unión necesitan entender las importantes relaciones entre la estructura y el comportamiento interno del dispositivo, sus características de circuito y sus posibilidades. En este sentido, los diseñadores del circuito, del dispositivo y del proceso de fabricación deben de trabajar en equipo. Es por ello recomendable que cada miembro del equipo tenga conocimiento de las posibilidades y limitaciones de cada uno de sus colegas.

De este modo, los principales objetivos de este libro son:

  • Proporcionar una sólida comprensión del comportamiento físico interno de los diodos a unión y de los transistores.
  • Obtener modelos aproximados de circuito que caractericen al dispositivo en ciertas condiciones limitadas de funcionamiento.
  • Proporcionar el conocimiento de las limitaciones inherentes a los diferentes modelos de circuito y de las relaciones entre los diferentes modelos.
  • Mostrar cómo los parámetros de los modelos de circuito dependen de la estructura física del dispositivo, de su punto de funcionamiento eléctrico y de su temperatura.
Autor
Colección
SEEC (Semiconductor Electronics Education Committee)
Número en la colección
2
Materia
Ingeniería Electrónica, Tecnología e Ingeniería
Idioma
  • Castellano
Editorial
Editorial Reverté
EAN
9788429134421
ISBN
978-84-291-3442-1
Páginas
284
Ancho
15 cm
Alto
21 cm
Edición
1
Fecha publicación
01-01-1970
Bolsillo tapa blanda
20,28 €
21,09 US$
También disponible en

Contenidos

Dispositivos semiconductores de unión. Funcionamiento físico de los diodos de unión pn. Comportamiento en c.c. de los diodos de unión pn. Otros efectos en los diodos de unión. Estructura y funcionamiento de los transistores. Modelos de transistor para señales de poca amplitud. Modelo de Ebers Moll para la característica tensión-intensidad de un transistor. Modelos de transistor para conmutaciones dinámicas. Apéndices: Estudio más detallados de la capa de carga espacial de una unión pn. El campo eléctrico en las regiones neutras de una unión pn.

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